(相关资料图)
1、 氧化硅晶须增强体，将金属硅细粉在25℃以下通氧、水蒸气或过氧化氢气体，使之渗入多孔三氧化铝陶瓷基板内。
2、在1250~1420℃温度和氢气环境烧结1h左右，金属硅通过中间体生长成为二氧化硅晶须的增强材料。
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